为是EUV光刻技术的奠基人。
1986年，木下博夫在日本应用物理学会的一次会议上报告了他的成就，但当时他的演讲遭到高度怀疑。
1989年，木下博夫利用美国加州一个太空飞行实验室开发的基于钼和硅的EUV反射镜，成功刻下了0.5um的图案，这一次真正让人开始重视这项技术。
1993年，木下博夫组织了一次有关EUV技术的美日会议，吸引了约50名研究人员参加，建立了两国之间在EUV光刻技术上的联系。
不过，尼康和佳能等日本光刻机公司当时对EUV并不感兴趣，他们更关注近X射线技术，EUV技术只是备选技术。
1997年10月，汤普森院士出面邀请英特尔和美国能源部共同开发EUV的消息传到日本，EUV-LLC的目的是实现EUV光刻技术的商业化，美国芯片产业巨头对EUV技术的热情让日本光刻机行业感到意外和震惊。
1998年，由日本通商产业省牵头，启动了日本的EUV技术研究项目，目标也是实现EUV光刻技术的商业化。
日本的这个项目总共分成了三个阶段，第一阶段，研究和开发EUV光刻的基础技术，主要包括三大部分，分别是曝光工具、掩膜和光刻胶，第一阶段的项目周期是从1998年到2001年；第一阶段的领导机构和资金来源是日本超先进电子技术协会（ASET）。
ASET也是日本通商产业省全额资助的研究机构。
第二阶段基于ASET的基础技术研究成果，将其转化成试验样机，日本的半导体公司将在这一方面提供部分资金支持，第二阶段将从2001到2003年，历时3年；这一阶段没有确定具体的领导者，日本想要达到百花齐放的效果。
第三阶段是从2003年到2006年，目标是由日本的半导体公司把试验样机转化成商业化产品，半导体前沿技术联盟（SELETE）以及日本的两大光刻机巨头尼康和佳能，将主要负责这个阶段。