线聚焦并将电路图案投影到硅片上。镜头的设计要求极其复杂，光学镜片需要达到亚纳米级的抛光精度。
掩模版：掩模版是设计好芯片电路图案的“模具”，它决定了刻蚀出来的电路的具体形状和尺寸。
步进扫描系统：光刻机的工作台需要以极高的精度移动，误差不能超过几个纳米，这需要强大的机械和控制系统。
第一代光刻机的技术目标：
许志远决定研发的第一代光刻机目标是90纳米制程工艺，这在当时的国际水平上已经算是领先一代的技术。它可以刻录90纳米及以上规格的芯片集成电路，足以满足当下龙国在通信、军事和工业控制领域的需求。虽然距离国际顶尖的5纳米、7纳米工艺还有一定差距，但对于龙国来说，这已经是一个巨大的突破。
制定研发阶段方案
许志远仔细翻阅系统资料，深知光刻机的研发绝非一蹴而就。系统给出的研发思路清晰而严谨，他需要将这些内容逐步分解，制定出一套切实可行的方案。
他手握笔记本，在纸上快速写下了几个大字：光刻机研发阶段分解，随后开始细化每一个步骤。